加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种低熔体表面张力的TFT基板玻璃及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011585029.2
  • IPC分类号:C03C3/091;C03C1/00;C03B5/235
  • 申请日期:
    2020-12-28
  • 申请人:
    北京工业大学;彩虹显示器件股份有限公司
著录项信息
专利名称一种低熔体表面张力的TFT基板玻璃及其制备方法
申请号CN202011585029.2申请日期2020-12-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2021-05-14公开/公告号CN112794641A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C03C3/091IPC分类号C;0;3;C;3;/;0;9;1;;;C;0;3;C;1;/;0;0;;;C;0;3;B;5;/;2;3;5查看分类表>
申请人北京工业大学;彩虹显示器件股份有限公司申请人地址
北京市朝阳区平乐园100号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京工业大学,彩虹显示器件股份有限公司当前权利人北京工业大学,彩虹显示器件股份有限公司
发明人田英良;李淼;赵志永;杨国洪;王为;杨智
代理机构西安通大专利代理有限责任公司代理人王艾华
摘要
本发明提供一种低熔体表面张力的TFT基板玻璃及其制备方法,所述TFT基板玻璃的组分按摩尔比计,包括58‑68份的SiO2、8‑13份的B2O3、9‑15份的Al2O3、6‑10份的CaO和1‑3份的SrO;所述的B2O3通过硼酸和硼矸引入,Al2O3通过氢氧化铝和氧化铝引入,SrO通过碳酸锶和硝酸锶引入。TFT基板玻璃在制备时,按摩尔比计,将58‑68份的SiO2、8‑13份的B2O3、9‑15份的Al2O3、6‑10份的CaO和1‑3份的SrO采用全氧燃烧方式和电助熔方式共同熔化成玻璃熔体,之后将得到的玻璃熔体用溢流法进行制备,得到低熔体表面张力的TFT基板玻璃。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供