一种硅基叉指型光电探测器

发明专利有效专利

申请号：
CN201910457128.3
IPC分类号：H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/18
申请日期：
2019-05-29
申请人：
哈尔滨工业大学（深圳）

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著录项信息

专利名称	一种硅基叉指型光电探测器
申请号	CN201910457128.3	申请日期	2019-05-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-09-06	公开/公告号	CN110212053A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/101 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;1;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学（深圳）	申请人地址	广东省深圳市南山区西丽深圳大学城变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学（深圳）	当前权利人	哈尔滨工业大学（深圳）
发明人	徐科;孙路路
代理机构	深圳市科吉华烽知识产权事务所（普通合伙）	代理人	胡玉

摘要

本发明提供了一种硅基叉指型光电探测器，其包括衬底、位于衬底上的叉指结构的硅波导和金属电极，所述硅波导包括n型掺杂区、n型掺杂的叉指、p型掺杂区、p型掺杂的叉指，所述n型掺杂的叉指、p型掺杂的叉指位于n型掺杂区和p型掺杂区之间，所述n型掺杂的叉指、p型掺杂的叉指交替排列；所述n型掺杂的叉指与同侧的n型掺杂区接触，与p型掺杂区之间留有间隙；所述p型掺杂的叉指与同侧的p型掺杂区接触，与n型掺杂区之间留有间隙；通过金属电极和处于波导两侧并与波导相接的n型掺杂区、p型掺杂区相连。本发明的技术方案，能够更高效地收集由于缺陷态吸收效应从缺陷态能级跃迁到导带的电子，形成更大的光电流，提高光电探测器的性能。

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