加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

晶体管装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710071802.5
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423
  • 申请日期:
    2017-02-09
  • 申请人:
    财团法人工业技术研究院
著录项信息
专利名称晶体管装置
申请号CN201710071802.5申请日期2017-02-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-06-29公开/公告号CN108231883A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人财团法人工业技术研究院申请人地址
中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人财团法人工业技术研究院当前权利人财团法人工业技术研究院
发明人王泰瑞;张祖强;冯捷威;颜劭安;陈韦翰
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司代理人祁建国;梁挥
摘要
本发明提供一种晶体管装置包括半导体材料层、栅极层以及绝缘层。半导体材料层一体地包括第一导电部、第二导电部、通道部以及第一凸出部。通道部位于第一导电部与第二导电部之间。通道部具有第一边界、第二边界、第三边界与第四边界,其中第一边界与第一导电部邻接,第二边界与第二导电部邻接,而第三边界与第四边界连接第一边界与第二边界的端点。第一凸出部由通道部的第三边界向外凸出。栅极层横越并重叠通道部。栅极层的第一栅极边界与第二栅极边界重叠于通道部的第一边界与第二边界。绝缘层设置于栅极层与半导体材料层之间。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供