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温度测量方法、热处理方法及半导体器件的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02802042.1
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2002-07-01
  • 申请人:
    松下电器产业株式会社
著录项信息
专利名称温度测量方法、热处理方法及半导体器件的制造方法
申请号CN02802042.1申请日期2002-07-01
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2004-12-08公开/公告号CN1554015
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人松下电器产业株式会社申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人松下电器产业株式会社当前权利人松下电器产业株式会社
发明人柴田聪;平濑顺司;杉山龙男;金崎惠美;川濑文俊;内藤康志
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人李香兰
摘要
本发明的目的,在于:精确地测量出加热中的物体温度,并在正确的温度下对物体进行热处理。在衬底10的热处理工序中,在测量衬底10背面的辐射率ε时,衬底10表面上形成有由能使辐射率ε改变的材料制成的膜,例如成为插塞15A的第一DPS膜15、成为电容下部电极17A的第二DPS膜17及成为电容上部电极20A的第三DPS膜20;而在衬底10的背面上则未形成由DPS膜等能使辐射率ε改变的材料制成的膜。

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