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一种用于气态汞采样的高效吸附剂的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410244886.4
  • IPC分类号:B01J20/20;B01J20/30;G01N1/22
  • 申请日期:
    2014-06-04
  • 申请人:
    武汉市天虹仪表有限责任公司
著录项信息
专利名称一种用于气态汞采样的高效吸附剂的制备方法
申请号CN201410244886.4申请日期2014-06-04
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-08-13公开/公告号CN103977763A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01J20/20IPC分类号B;0;1;J;2;0;/;2;0;;;B;0;1;J;2;0;/;3;0;;;G;0;1;N;1;/;2;2查看分类表>
申请人武汉市天虹仪表有限责任公司申请人地址
湖北省武汉市东湖高新华师园北路11号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉市天虹仪表有限责任公司当前权利人武汉市天虹仪表有限责任公司
发明人李虹杰;沈诚;李恺骅
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种高效吸附剂的制备方法,尤其是涉及一种用于气态汞采样的高效吸附剂的制备方法。本发明除卤素及其化合物外,使用溴化碘和二巯基丁二酸对其进行改性,经过相关的实验,结果表明改性后活性碳表面增加的羰基、卤素等活性官能团有利于元素汞和二价汞的化学吸附,特别是二巯基丁二酸与汞结合后形成的对称稳定结构,使得改性后活性碳对汞的吸附能力大大提高。

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