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单晶硅太阳能电池片湿法刻蚀装置

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201120025086.5
  • IPC分类号:C23F1/08;C23F1/24
  • 申请日期:
    2011-01-25
  • 申请人:
    东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司
著录项信息
专利名称单晶硅太阳能电池片湿法刻蚀装置
申请号CN201120025086.5申请日期2011-01-25
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23F1/08IPC分类号C;2;3;F;1;/;0;8;;;C;2;3;F;1;/;2;4查看分类表>
申请人东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司申请人地址
江苏省无锡市宜兴市经济开发区文庄路6号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司当前权利人东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司
发明人程鹏飞;龚双龙;全余生
代理机构南京天华专利代理有限责任公司代理人夏平
摘要
一种单晶硅太阳能电池片湿法刻蚀装置,它包括刻蚀槽(1)和多个滚轮(3),刻蚀槽(1)内装有刻蚀液(2),多个滚轮(3)均安装在刻蚀槽(1)内,浸没在刻蚀液(2)中。本实用新型使用时,不需要在刻蚀前对电池片正面进行掩膜保护,电池片在腐蚀液中浸入的深度及刻蚀时间可以通过滚轮的转速进行调节,使用该装置生产的单晶硅太阳能电池片的工业化平均转换效率达到18.5%以上。

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