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一种氧空位可调的高能结构硫化铜-氧化亚铜复合物及其制备方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811465712.5
  • IPC分类号:B01J27/04;B01J37/16;C02F1/30;C02F101/34;C02F101/38
  • 申请日期:
    2018-12-03
  • 申请人:
    安徽工程大学
著录项信息
专利名称一种氧空位可调的高能结构硫化铜-氧化亚铜复合物及其制备方法和应用
申请号CN201811465712.5申请日期2018-12-03
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-03-01公开/公告号CN109395745A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01J27/04IPC分类号B;0;1;J;2;7;/;0;4;;;B;0;1;J;3;7;/;1;6;;;C;0;2;F;1;/;3;0;;;C;0;2;F;1;0;1;/;3;4;;;C;0;2;F;1;0;1;/;3;8查看分类表>
申请人安徽工程大学申请人地址
安徽省芜湖市鸠江区北京中路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人安徽工程大学当前权利人安徽工程大学
发明人杨仁春;程志文;李瑶瑶;王红;刘琪;唐定兴;李兴扬;任一鸣;徐玉银;汪孔斌;李伟;王金刚;魏奇;王光寅
代理机构芜湖安汇知识产权代理有限公司代理人任晨晨
摘要
本发明提供了一种氧空位可调的高能结构硫化铜‑氧化亚铜复合物及其制备方法和应用,与现有技术相比,本发明首先通过离子诱导还原法,调节Al3+离子、铜离子、葡萄糖与氢氧化钠四者之间物质量之比,可实现高能结构24面体氧化亚铜的制备;同时,通过硫化钠原位刻蚀氧化亚铜形成异质结构,通过调变硫化钠和葡萄糖浓度,成功实现了异质结硫化钠纳米片厚度和复合物氧空位的浓度调变。本发明实现了双高能异质结构(硫化铜纳米片和24面体氧化亚铜)的设计制备,并成功实现了其表面氧空位的调控;整个操作,简单可控,反应条件温和,可控性和重复性好,且其操作过程绿色环保,生产成本低。

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