半导体器件的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711086263.9
IPC分类号：H01L21/027;H01L21/033;H01L21/768
申请日期：
2017-11-07
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体器件的制造方法
申请号	CN201711086263.9	申请日期	2017-11-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-14	公开/公告号	CN109755108A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/027 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;1;/;0;3;3;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	张海洋;纪世良
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	屈蘅;李时云

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，在第一金属硬掩膜层上方形成具有第一开口的第二金属硬掩膜层，所述第二金属硬掩膜层的主要成分为金属氧化物，能够改善光刻胶层的第一开口图案直接向第一金属硬掩膜层转移时的形貌偏差、开口坍塌以及开口中有大量聚合物残留等问题，且以具有第一开口的第二金属硬掩膜层为掩膜来刻蚀下方相应叠层形成目标开口时，第二金属硬掩膜层既能够改善形成的目标开口的侧壁形貌，又易于去除以减小目标开口中的刻蚀残留物的产生；进一步利用自组装工艺在第二金属硬掩膜层上方的图案化光刻层中形成二嵌段共聚物层，利用嵌段共聚物层中互不相溶的第一嵌段和第二嵌段来缩小光掩模图案的线宽。

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