覆晶薄膜及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010460228.4
IPC分类号：H01L23/13;H01L21/48;H01L23/31
申请日期：
2020-05-27
申请人：
上海天马微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	覆晶薄膜及其制造方法
申请号	CN202010460228.4	申请日期	2020-05-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-08-25	公开/公告号	CN111584436A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/13 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/12 安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底〔2〕 H01L23/13 按形状特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;1;3;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1查看分类表>
申请人	上海天马微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区汇庆路888、889号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海天马微电子有限公司	当前权利人	上海天马微电子有限公司
发明人	周一安;王林志;董崔健;席克瑞;孔祥建;刘金娥;秦锋
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司	代理人	娜拉

摘要

本发明公开了一种覆晶薄膜及其制造方法。本发明实施例提供一种覆晶薄膜的制造方法，包括：在母基板上依次形成第一种子层及第一光阻层；图案化第一光阻层以形成具有第一图案化光阻层和第一镂空区的第一中间基板；至少在第一镂空区暴露的第一种子层上形成第一金属层；去除第一图案化光阻层及未被第一镂空区内的第一金属层覆盖的第一种子层，以形成具有第一图案化导电层的初始导电基板。根据本发明实施例的覆晶薄膜及其制造方法，能够使其中金属层具有较高的精度和较厚的厚度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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