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铜金属覆盖层的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210389028.X
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2012-10-12
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称铜金属覆盖层的制备方法
申请号CN201210389028.X申请日期2012-10-12
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2013-01-16公开/公告号CN102881647A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人张亮
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人陆花
摘要
一种铜金属覆盖层的制备方法,包括:步骤S1:提供具有冗余铜金属填充的半导体器件;步骤S2:化学机械研磨冗余金属铜填充所在的表面,并停止在所述防金属扩散层;步骤S3:电解溶解所述铜金属填充,并使得所述铜金属填充的第二上表面较所述沟槽结构之第一上边沿具有预定高度h1的凹陷;步骤S4:淀积金属覆盖层;步骤S5:化学机械研磨去除防金属扩散层且铜金属填充的第二上表面具有金属覆盖层;步骤S6:淀积介质隔离保护层。本发明所述方法不仅可以在铜金属填充上淀积金属覆盖层,且避免低介电常数介质层污染。同时,改善铜金属填充与介质隔离保护层的粘附特性,减少了界面扩散和迁移,提高抗电迁移能力和应力迁移能力,最终提高了所述半导体器件的可靠性能。

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