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半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010473448.0
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/528
  • 申请日期:
    2020-05-29
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构及其形成方法
申请号CN202010473448.0申请日期2020-05-29
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-12-03公开/公告号CN113745151A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人金吉松
代理机构上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人高静
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底;在基底上形成待刻蚀层在待刻蚀层上形成多个沿第一方向延伸的核心层;在核心层的侧壁上形成第一侧墙;在待刻蚀层上形成多个沿第一方向延伸的牺牲层,覆盖第一侧墙沿第一方向的部分侧壁,牺牲层与核心层沿第二方向间隔排列,第二方向垂直于第一方向,所述牺牲层与核心层之间由第一侧墙相隔离;在核心层和牺牲层露出的待刻蚀层上形成掩膜层,掩膜层包括填充层;去除核心层以形成第一凹槽,去除牺牲层以形成第二凹槽;以掩膜层为掩膜,刻蚀第一凹槽和第二凹槽下方的待刻蚀层形成目标图形。本发明实施例有利于提高目标图形的布局设计灵活度和自由度,节约工艺成本。

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