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基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010265327.7
  • IPC分类号:G11C16/34
  • 申请日期:
    2014-02-10
  • 申请人:
    希捷科技有限公司
著录项信息
专利名称基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化
申请号CN202010265327.7申请日期2014-02-10
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-07-24公开/公告号CN111445942A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C16/34IPC分类号G;1;1;C;1;6;/;3;4查看分类表>
申请人希捷科技有限公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人希捷科技有限公司当前权利人希捷科技有限公司
发明人厄尔·T·柯亨;钟浩
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人章蕾
摘要
本申请涉及基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化。SSD控制器动态调整NVM中的读取阈值以减少由于装置阈值电压分布偏移而导致的错误,因此改善了诸如SSD的存储子系统的性能、可靠性和/或成本。保留漂移时钟使用在一个或多个NVM芯片上的一个或多个参考页面(或ECC单元或块)作为随着时间/温度参考的读取阈值,并且使用这些值的函数作为(随着时间/温度)的漂移的测量。在一些初始时间,一个或多个参考页面被程序化且为一个或多个参考页面中的每一个测量初始读取阈值。在一些实施方式中,读取阈值在以下一个或多个中被平均:同一芯片上的所有参考页面;以及I/O装置中相同的一个或多个芯片中的所有参考页面。

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