电极结构的制备方法、电极结构、薄膜晶体管及显示装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201710283100.3
IPC分类号：--
申请日期：
2017-04-26
申请人：
京东方科技集团股份有限公司

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专利名称	电极结构的制备方法、电极结构、薄膜晶体管及显示装置
申请号	CN201710283100.3	申请日期	2017-04-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-08-18	公开/公告号	CN107068549A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司
发明人	王久石;曹占锋;姚琪;吕志军
代理机构	北京同达信恒知识产权代理有限公司	代理人	郭润湘

摘要

本发明公开了一种电极结构的制备方法、电极结构、薄膜晶体管及显示装置，包括：在衬底基板上依次形成金属薄膜层、多晶硅薄膜和光阻层；对光阻层进行曝光显影，形成光阻层的图形；保留光阻层的图形下方对应的多晶硅薄膜，去除剩余其他区域的多晶硅薄膜；以光阻层的图形为掩膜采用湿法刻蚀方法对金属薄膜层进行构图形成金属电极的图形；去除光阻层的图形。在金属薄膜层上形成光阻层之前在金属薄膜层上形成了多晶硅薄膜，由于该多晶硅薄膜的表面凹凸不平，因此可以增加光阻层与金属薄膜层表面的粘附力，从而在以光阻层的图形为掩膜，采用湿法刻蚀方法对金属薄膜层进行构图时，光阻层不容易从金属薄膜层的表面脱落，保证了刻蚀工艺的顺利进行。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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