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一种降低多晶硅锭红边宽度的铸锭方法、多晶硅锭和多晶硅铸锭用坩埚

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610834565.9
  • IPC分类号:C30B28/06;C30B29/06
  • 申请日期:
    2016-09-20
  • 申请人:
    江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
著录项信息
专利名称一种降低多晶硅锭红边宽度的铸锭方法、多晶硅锭和多晶硅铸锭用坩埚
申请号CN201610834565.9申请日期2016-09-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-03-22公开/公告号CN106521621A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B28/06IPC分类号C;3;0;B;2;8;/;0;6;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人江西赛维LDK太阳能高科技有限公司申请人地址
江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江西赛维LDK太阳能高科技有限公司当前权利人江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
发明人陈红荣;徐云飞;胡动力
代理机构广州三环专利商标代理有限公司代理人郝传鑫;熊永强
摘要
本发明提供了一种降低多晶硅锭红边宽度的铸锭方法,包括以下步骤:提供坩埚,坩埚包括底座及由底座向上延伸的侧壁,底座和侧壁共同围成一收容空间,在朝向收容空间的侧壁表面设置阻挡层,阻挡层选自熔点大于硅且纯度在99.99%以上的高纯薄片;高纯薄片的材质选自过渡金属单质、过渡金属化合物、石墨、铝的化合物和硼的化合物中的至少一种;然后在坩埚内设置熔融状态的硅料;控制坩埚内的温度沿垂直与坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度,使熔融状态的硅料开始结晶;待全部结晶完后,经退火冷却得到多晶硅锭。本发明通过在坩埚侧壁设置阻挡层,可以阻挡坩埚中的杂质进入硅锭/硅熔体,降低了硅锭的红边宽度,提高了多晶硅锭的少子寿命。

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