薄膜晶体管及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010509417.2
IPC分类号：H01L21/336;H01L29/786;H01L29/06
申请日期：
2010-10-09
申请人：
友达光电股份有限公司

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著录项信息

专利名称	薄膜晶体管及其制造方法
申请号	CN201010509417.2	申请日期	2010-10-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-02-16	公开/公告号	CN101976650A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	友达光电股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路一号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	友达光电股份有限公司	当前权利人	友达光电股份有限公司
发明人	石宗祥;吕学兴;丁宏哲;周政伟;陈佳榆
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	陈亮

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极；于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极；于栅绝缘层上形成彼此电性绝缘的源极与漏极；于栅极上方的栅绝缘层上形成氧化物半导体层以覆盖栅绝缘层、源极与漏极；于氧化物半导体层上形成材料层；薄化材料层；令材料层氧化以于氧化物半导体层上形成一紫外光遮蔽材料层；以及图案化紫外光遮蔽材料层以及氧化物半导体层以形成氧化物通道层与紫外光遮蔽图案，其中氧化物信道层覆盖源极的部分区域与漏极的部分区域，而紫外光遮蔽图案位于氧化物信道层上。

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