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CMOS图像传感器及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610170171.4
  • IPC分类号:H01L27/146;H01L21/822
  • 申请日期:
    2006-12-25
  • 申请人:
    东部电子股份有限公司
著录项信息
专利名称CMOS图像传感器及其制造方法
申请号CN200610170171.4申请日期2006-12-25
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-07-04公开/公告号CN1992306
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2查看分类表>
申请人东部电子股份有限公司申请人地址
韩国首尔 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东部电子股份有限公司当前权利人东部电子股份有限公司
发明人任劲赫
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人郑小军
摘要
本发明公开了一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器包括:栅电极,其通过将栅极绝缘层夹在该栅电极与第一导电半导体衬底的有源区之间而在该第一导电性半导体衬底的有源区上形成,该半导体衬底上限定光电二极管区和晶体管区;低密度第二导电扩散区,其在该栅电极的第一侧的光电二极管区上形成;高密度第二导电扩散区,其在该栅电极的第二侧的晶体管区上形成;绝缘层,其在该栅电极的两侧的半导体衬底上形成,并且厚度比该栅电极的厚度小;以及绝缘层侧壁,其在该栅电极的两侧形成。

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