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一种近化学计量比复合薄膜及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202211125224.6
  • IPC分类号:H01L41/253;H01L41/312;H01L41/08;C30B31/22;C30B33/02
  • 申请日期:
    2022-09-16
  • 申请人:
    济南晶正电子科技有限公司
著录项信息
专利名称一种近化学计量比复合薄膜及其制备方法
申请号CN202211125224.6申请日期2022-09-16
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2022-10-18公开/公告号CN115207206A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L41/253IPC分类号H;0;1;L;4;1;/;2;5;3;;;H;0;1;L;4;1;/;3;1;2;;;H;0;1;L;4;1;/;0;8;;;C;3;0;B;3;1;/;2;2;;;C;3;0;B;3;3;/;0;2查看分类表>
申请人济南晶正电子科技有限公司申请人地址
山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人济南晶正电子科技有限公司当前权利人济南晶正电子科技有限公司
发明人胡文;胡卉;李真宇;张秀全;刘亚明
代理机构北京弘权知识产权代理有限公司代理人逯长明;李政楠
摘要
本申请属于半导体材料领域,具体提供一种近化学计量比复合薄膜及其制备方法,所述制备方法在进行离子注入分离后,采用两步退火法对剥离所得单晶复合薄膜进行退火处理,并且,在退火前在压电薄膜的表面设置隔离层,从而一方面降低单晶压电薄膜的锂损失,另一方面抑制在退火过程中,由单晶压电薄膜分解所得氧化锂的外逸,进而使制得的单晶压电薄膜中的压电材料保持近化学计量比。

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