一种取向多孔聚偏氟乙烯压电膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811396497.8
IPC分类号：C08J5/18;C08J9/26;C08L27/16;C08K3/22;H01L41/193;H01L41/45
申请日期：
2018-11-22
申请人：
武汉纺织大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种取向多孔聚偏氟乙烯压电膜及其制备方法
申请号	CN201811396497.8	申请日期	2018-11-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-03-01	公开/公告号	CN109400931A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08J5/18 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08J 加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理（塑料的加工，如成型入B29）〔2〕 C08J5/00 含有高分子物质的制品或成形材料的制造（半透膜的制造入B01D 67/00至B01D 71/00）〔2〕 C08J5/18 薄膜或片材的制造〔2〕	IPC分类号	C;0;8;J;5;/;1;8;;;C;0;8;J;9;/;2;6;;;C;0;8;L;2;7;/;1;6;;;C;0;8;K;3;/;2;2;;;H;0;1;L;4;1;/;1;9;3;;;H;0;1;L;4;1;/;4;5查看分类表>
申请人	武汉纺织大学	申请人地址	湖北省武汉市江夏区阳光大道1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉纺织大学	当前权利人	武汉纺织大学
发明人	柏自奎;陈冲;徐卫林;周应山;顾绍金;陶咏真
代理机构	武汉宇晨专利事务所（普通合伙）	代理人	王敏锋

摘要

本发明涉及取向多孔聚偏氟乙烯压电膜的制备方法，属于新材料制备技术领域。本发明采用将Fe3O4纳米磁性颗粒均匀分散在聚偏氟乙烯溶液之中形成聚偏氟乙烯复合溶液，然后将其置于磁场中流延成膜，磁场诱导Fe3O4纳米磁性颗粒聚集成均匀取向的圆锥体，随着溶剂的挥发，纳米磁性颗粒诱导聚偏氟乙烯β相结晶及在圆锥体面取向排布，形成Fe3O4/PVDF复合膜，将其干燥后用稀盐酸除去Fe3O4纳米磁性颗粒，获得取向多孔聚偏氟乙烯压电膜。本发明的目的在于克服现有制备技术中不能达到高β晶相转变以及其有序取向排布，得到的压电膜柔软性差的特点，提供一种操作简单，对制备条件与设备要求较低，所制备的取向多孔聚偏氟乙烯压电膜具有柔软特性及较高的压电常数与能量转换系数。

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