首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

一种双重图形曝光工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN200810039408.4
IPC分类号：G03F7/00;G03F7/38;G03F7/30;G03F7/26;H01L21/027
申请日期：
2008-06-23
申请人：
上海集成电路研发中心有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种双重图形曝光工艺
申请号	CN200810039408.4	申请日期	2008-06-23
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-11-12	公开/公告号	CN101303525
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;0;0;;;G;0;3;F;7;/;3;8;;;G;0;3;F;7;/;3;0;;;G;0;3;F;7;/;2;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人	上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼B区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海集成电路研发中心有限公司
发明人	胡红梅;姚树歆
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	屈蘅

摘要

本发明公开了一种双重图形曝光工艺，涉及集成电路工艺技术领域。该工艺使用一种可溶于显影液的填充材料，采用多次涂布和烘烤来实现沟槽的填充，并且依靠多次显影工艺移除表面多余的填充材料。与现有技术相比，本发明提供的利用可显影填充材料的双重图形曝光工艺，提高了光刻胶涂布后硅片的平坦度，减轻了沟槽填充步骤对后续光刻工艺中套刻精度和焦深等带来的不良影响。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供