一种半导体异质结构制备方法及其用途

发明专利有效专利

申请号：
CN201811166674.3
IPC分类号：H01L21/335;H01L29/778;H01L29/36
申请日期：
2018-10-08
申请人：
北京大学;合肥彩虹蓝光科技有限公司

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专利名称	一种半导体异质结构制备方法及其用途
申请号	CN201811166674.3	申请日期	2018-10-08
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-04-14	公开/公告号	CN111009468A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/335 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人	北京大学;合肥彩虹蓝光科技有限公司	申请人地址	北京市海淀区颐和园路5号北京大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京大学,合肥彩虹蓝光科技有限公司	当前权利人	北京大学,合肥彩虹蓝光科技有限公司
发明人	纪攀峰;沈波;杨学林;冯玉霞;唐军;陶淳;齐胜利;潘尧波
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	王华英

摘要

本发明提供一种半导体异质结构制备方法及其用途，所述制备方法包括，提供一衬底；于衬底上形成一成核层；于成核层上形成第一缓冲层；于第一缓冲层上形成第二缓冲层；于第一缓冲层上形成一沟道层；于沟道层上形成一势垒层，势垒层和沟道层构成异质结构；其中，第一缓冲层具有第一掺杂浓度，第二缓冲层具有第二掺杂浓度，第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。利用本发明，在半导体异质结构中引入至少两种掺杂浓度缓冲层，能同时兼顾高阻缓冲层电阻率与沟道层晶体质量的要求，不仅制备简单，而且可大幅降低沟道层的缺陷密度，提高半导体异质结构的晶体质量，改善器件击穿电压和电流崩坍效应，可应用于低成本的高频、高功率器件的研制。

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