一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911356607.2
IPC分类号：C30B23/00;C30B29/36
申请日期：
2019-12-25
申请人：
北京天科合达半导体股份有限公司;北京天科合达新材料有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法
申请号	CN201911356607.2	申请日期	2019-12-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-25	公开/公告号	CN113026093A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B23/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B23/00 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;3;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人	北京天科合达半导体股份有限公司;北京天科合达新材料有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司	申请人地址	北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京天科合达半导体股份有限公司,北京天科合达新材料有限公司,江苏天科合达半导体有限公司,新疆天科合达蓝光半导体有限公司	当前权利人	北京天科合达半导体股份有限公司,北京天科合达新材料有限公司,江苏天科合达半导体有限公司,新疆天科合达蓝光半导体有限公司
发明人	刘春俊;姚静;赵宁;彭同华;杨建
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	豆贝贝

摘要

本发明提供了一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法，所述半绝缘型碳化硅晶片的整体范围内，电阻率的相对标准偏差小于70％，电阻率的最小值大于1×106Ω·cm。本发明还提供了一种上述技术方案所述半绝缘型碳化硅晶片的制备方法，通过采用零度籽晶生长出的晶体和同时控制晶体生长径向温度梯度保证晶体生长的平坦程度，可避免切割、加工得到的晶片的中心和边缘不同位置源自不同生长时刻，尽量保证晶片中心和边缘生长时刻非常接近，保证晶片整体掺杂的均匀性；掺杂剂均匀地合成到SiC原料中，也保证晶体内部电阻率的均匀性。半绝缘型碳化硅晶片的电阻率的相对标准偏差小于70％，晶片电阻率的最小值大于1×106Ω·cm。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供