精确测定材料中偏聚第二相分布均匀性的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410428916.7
IPC分类号：G01N21/00
申请日期：
2014-08-28
申请人：
中国科学院金属研究所

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专利名称	精确测定材料中偏聚第二相分布均匀性的方法
申请号	CN201410428916.7	申请日期	2014-08-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-03-30	公开/公告号	CN105445185A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先）	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院金属研究所	申请人地址	辽宁省沈阳市沈河区文化路72号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院金属研究所	当前权利人	中国科学院金属研究所
发明人	李阁平;张利峰;李明远;王练;彭胜;吴松全;高博;顾恒飞;庞丽侠
代理机构	沈阳晨创科技专利代理有限责任公司	代理人	樊南星

摘要

精确测定材料中偏聚第二相分布均匀性的方法；其将第二相抽象成质量集中于中心的质点；然后借助于数学方法定量的将第二相在基体中的均匀性程度具体化，数值化；然后将数学方法编写成程序，使用者只需要在终端输入坐标数据，直接可以得到均匀性结果；最终使用者将所得结果汇总一起，整理成图表。本发明克服了现有利用半定量的方法来分析金相和大量的统计工作，在随机分布第二相统计方法的基础上，针对具有偏聚或分布具有方向性第二相在基体中分布均匀性问题，提出一种新方法能够定量的表征偏聚第二相在基体中分布均匀性。具有更客观、简便、准确的特点，并且对金相视场的颗粒数目没有限制。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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