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坩埚装置、坩埚装置控制方法、膜厚测量装置及包含它的薄膜沉积设备

发明专利无效专利

申请号：
CN201210179992.X
IPC分类号：C23C16/448;C23C16/52
申请日期：
2012-06-01
申请人：
丽佳达普株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	坩埚装置、坩埚装置控制方法、膜厚测量装置及包含它的薄膜沉积设备
申请号	CN201210179992.X	申请日期	2012-06-01
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2012-12-05	公开/公告号	CN102808167A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/448 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/448 产生反应气流的方法，例如通过母体材料的蒸发或升华〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;4;8;;;C;2;3;C;1;6;/;5;2查看分类表>
申请人	丽佳达普株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	丽佳达普株式会社	当前权利人	丽佳达普株式会社
发明人	鲁俊瑞
代理机构	北京鸿元知识产权代理有限公司	代理人	姜虎;陈英俊

摘要

本发明提供一种在薄膜沉积时根据坩埚内的有机物质剩余量而适当地调整加热位置地构成的坩埚装置及其控制方法、能够更加准确地测量沉积到基板上的薄膜厚度的膜厚测量装置、及包含该坩埚装置及/或膜厚测量装置的薄膜沉积设备。

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