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基于熔封封帽工艺的芯片真空共晶焊接方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010617973.1
  • IPC分类号:H01L21/60
  • 申请日期:
    2010-12-22
  • 申请人:
    北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
著录项信息
专利名称基于熔封封帽工艺的芯片真空共晶焊接方法
申请号CN201010617973.1申请日期2010-12-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-08-17公开/公告号CN102157405A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/60IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所申请人地址
北京市丰台区东高地四营门北路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京时代民芯科技有限公司,中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所当前权利人北京时代民芯科技有限公司,中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
发明人冯小成;陈建安;练滨浩;姚全斌
代理机构中国航天科技专利中心代理人杨虹
摘要
基于熔封封帽工艺的芯片真空共晶焊接方法,通过陶瓷外壳、圆片镀金、切片、真空共晶焊接、引线键合和金锡合金熔封封帽等步骤解决了现有真空共晶焊接不能采用熔封封帽工艺的技术难题。本发明焊接温度采用340℃,保温6分钟,时间和温度均高于传统焊接条件,使陶瓷外壳装片区表面和芯片表面金层渗入焊料,导致焊料中Au/Sn的成份发生改变,避免了熔封封帽时芯片焊接区域的二次熔化问题;本发明在焊料熔化后进行抽真空,抽除了芯片焊接时形成的大部分气泡,有效减少了焊接区域形成空洞的几率,使焊接空洞得到了有效的控制;本发明采用芯片键合方法是基于熔封封帽工艺,有利于整个封装生产的批量生产,提高产品的一致性水平。

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