加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种非对称相变存储器单元及器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010528582.2
  • IPC分类号:H01L45/00;H01L27/24
  • 申请日期:
    2010-11-01
  • 申请人:
    华中科技大学;山东华芯半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种非对称相变存储器单元及器件
申请号CN201010528582.2申请日期2010-11-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-05-18公开/公告号CN102064276A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4查看分类表>
申请人华中科技大学;山东华芯半导体有限公司申请人地址
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华中科技大学,山东华芯半导体有限公司当前权利人华中科技大学,山东华芯半导体有限公司
发明人缪向水;程晓敏;鄢俊兵;温学鑫;孙巾杰;瞿力文;彭菊红
代理机构华中科技大学专利中心代理人曹葆青
摘要
本发明属于公开了一种非对称相变存储器单元及器件,包括由下至上依次叠置的下电极层、第一绝缘层、相变层、第二绝缘层和上电极层;第一绝缘层开有小孔,小孔宽度为10nm~4um;相变层通过第一绝缘层上的小孔与下电极层相接触,第二绝缘层也开有小孔,小孔宽度为10nm~5um,上电极通过第二绝缘层上的小孔与相变层接触。其核心结构特征在于第一绝缘层上小孔的中轴线、第二绝缘层上小孔的中轴线以及下电极层的中轴线任意两条互不重合。本发明提供的非对称相变存储器单元及器件能够使存储器具有较好的热学性能,进而能在保持器件原有性能的同时降低功耗。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供