陶瓷电路基板及其制造方法和使用了该陶瓷电路基板的组件

发明专利有效专利

申请号：
CN201880026676.4
IPC分类号：H01L23/36;H01L23/12;H01L25/07;H01L25/18
申请日期：
2018-04-24
申请人：
电化株式会社

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专利名称	陶瓷电路基板及其制造方法和使用了该陶瓷电路基板的组件
申请号	CN201880026676.4	申请日期	2018-04-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-12-03	公开/公告号	CN110537256A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;6;;;H;0;1;L;2;3;/;1;2;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;;;H;0;1;L;2;5;/;1;8查看分类表>
申请人	电化株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电化株式会社	当前权利人	电化株式会社
发明人	原田祐作;汤浅晃正;中村贵裕;森田周平;西村浩二
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	暂无

摘要

提供耐热循环特性优异的陶瓷电路基板及功率组件。一种陶瓷电路基板，借助含有Ag、Cu以及活性金属的焊料使得陶瓷基板与铜板接合而成，其中，接合空隙率为1.0％以下，作为焊料成分的Ag的扩散距离为5μm～20μm。一种陶瓷电路基板的制造方法，其特征在于，趋向接合温度的升温过程中的400℃～700℃的温度范围内的加热时间为5分钟～30分钟，以720℃～800℃的接合温度保持5分钟～30分钟而进行接合。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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