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将单晶半导体层转移到支承衬底上的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210260321.6
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2012-07-25
  • 申请人:
    SOITEC公司
著录项信息
专利名称将单晶半导体层转移到支承衬底上的方法
申请号CN201210260321.6申请日期2012-07-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-01-30公开/公告号CN102903664A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人SOITEC公司申请人地址
法国贝尔尼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人SOITEC公司当前权利人SOITEC公司
发明人G·戈丹;C·马聚尔
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人程伟;王锦阳
摘要
本发明涉及将单晶半导体层转移到支承衬底上的方法。这种将单晶半导体层(3)转移到支承衬底(1)上的方法包括以下步骤a)将物种注入施主衬底(31);b)将施主衬底(31)键合至所述支承衬底(1);c)使施主衬底(31)断裂以便将层(3)转移到支承衬底(1)上;以及以下步骤使待被转移的单晶层(3)的部分(34)变为非晶,而没有打乱所述层(3)的第二部分(35)的晶格,所述部分(34、35)分别为所述单晶层(3)的表面部分和隐埋部分;所述非晶部分(34)在低于500℃的温度下再结晶,所述第二部分(35)的晶格用作再结晶的籽晶。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供