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导电图案形成方法和导电图案形成系统

发明专利无效专利

申请号：
CN201210480501.5
IPC分类号：H01L21/77;H01L51/56
申请日期：
2012-11-22
申请人：
富士胶片株式会社

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	导电图案形成方法和导电图案形成系统
申请号	CN201210480501.5	申请日期	2012-11-22
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-06-05	公开/公告号	CN103137556A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/77 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	富士胶片株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	富士胶片株式会社	当前权利人	富士胶片株式会社
发明人	胜村学
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	柴丽敏;于辉

摘要

根据本发明的模式，由于沿厚度方向形成了具有渐变组成结构的导电图案(3)，其中从基底材料(1，2)开始，导电聚合物的含量比率减少而金属微颗粒的含量比率增大，所以，在所述基底材料和所述导电图案之间的粘接部分处，归因于高含量比率的导电聚合物，保证了与所述基底材料的粘着性，同时，通过增大所述金属微颗粒的含量比率，实现了有利的电气性能。

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