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一种Si-C-Si型阴离子有机硅表面活性剂的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810620590.6
  • IPC分类号:B01F17/54
  • 申请日期:
    2018-06-15
  • 申请人:
    九江学院
著录项信息
专利名称一种Si-C-Si型阴离子有机硅表面活性剂的制备方法
申请号CN201810620590.6申请日期2018-06-15
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-11-30公开/公告号CN108905883A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01F17/54IPC分类号B;0;1;F;1;7;/;5;4查看分类表>
申请人九江学院申请人地址
江西省九江市前进东路551号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人九江学院当前权利人九江学院
发明人谭景林;肖梅红;胡庆华;严平
代理机构南昌新天下专利商标代理有限公司代理人谢德珍
摘要
一种Si‑C‑Si型阴离子有机硅表面活性剂的制备方法,该制备方法包括如下步骤:(1)格式反应:在N2保护下,先将氯甲基硅烷制备成格式试剂;之后在N2保护下,将乙烯基烷氧基硅烷或乙烯基氯硅烷加入装有无水四氢呋喃或无水乙醚的四口烧瓶中,滴加氯甲基硅烷或甲基格式试剂,合成乙烯基硅碳烷;(2)巯烯反应:将(1)中得到的产物乙烯基硅碳烷装入三口瓶中,加入巯基化合物、溶剂、催化剂,进行巯烯反应0.5~4小时后;用水‑二氯甲烷萃取,得到的固体于0.1MPa、40℃干燥24小时,冷却后得Si‑C‑Si型阴离子有机硅表面活性剂。本发明制备的表面活性剂具有优良的表面活性,可用于药物缓释、功能性纳米材料、纺织加工助剂等领域。

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