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一种石墨烯基传感器的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710515407.1
  • IPC分类号:G01D5/24
  • 申请日期:
    2017-06-29
  • 申请人:
    上海集成电路研发中心有限公司
著录项信息
专利名称一种石墨烯基传感器的制备方法
申请号CN201710515407.1申请日期2017-06-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-11-14公开/公告号CN107345818A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01D5/24IPC分类号G;0;1;D;5;/;2;4查看分类表>
申请人上海集成电路研发中心有限公司申请人地址
上海市浦东新区上海浦东张江高斯路497号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海集成电路研发中心有限公司当前权利人上海集成电路研发中心有限公司
发明人康晓旭
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人吴世华;陈慧弘
摘要
本发明提供了一种石墨烯基传感器的制备方法,包括:在一衬底上依次形成下电极层、底部隔离层和石墨烯薄膜;将含氧等离子体或含氧带电基团注入到石墨烯薄膜内,使石墨烯薄膜转变为氧化石墨烯薄膜,氧化石墨烯薄膜作为敏感材料层;在氧化石墨烯薄膜表面依次形成顶部隔离层和上电极层。本发明利用离子注入使得石墨烯薄膜转变为氧化石墨烯薄膜,并且能够更好的控制石墨烯基敏感材料的均匀性和一致性。

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