一种新型多路高压采样电路

发明专利有效专利

申请号：
CN202110099125.4
IPC分类号：H03K19/0175
申请日期：
2021-01-25
申请人：
无锡英迪芯微电子科技股份有限公司

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专利名称	一种新型多路高压采样电路
申请号	CN202110099125.4	申请日期	2021-01-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-08	公开/公告号	CN112929019A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K19/0175 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K19/00 逻辑电路，即，至少有两个输入作用于一个输出的（用于应用模糊逻辑的计算机系统的电路入G06N 7/02）；倒向电路 H03K19/0175 耦合装置；接口装置（用于数字计算机的接口装置入G06F 3/00，G06F 13/00）〔5〕	IPC分类号	H;0;3;K;1;9;/;0;1;7;5查看分类表>
申请人	无锡英迪芯微电子科技股份有限公司	申请人地址	江苏省无锡市清源路18号530创业大厦C502 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡英迪芯微电子科技股份有限公司	当前权利人	无锡英迪芯微电子科技股份有限公司
发明人	费俊驰;刘三味;张军;庄志伟
代理机构	无锡华源专利商标事务所（普通合伙）	代理人	过顾佳;聂启新

摘要

本发明公开了一种新型多路高压采样电路，涉及电子电路技术领域，该电路包括若干个并联的采样通道，每个采样通道基于四个场效应管组构建，每个场效应管组分别包括两个源端相连的NMOS管，两个NMOS管的漏端分别作为场效应管组的第一端和第二端，两个NMOS管的栅端相连并作为场效应管组的第三端；由于各个场效应管组均由一个NMOS管的漏端连接高压的待采样信号，因此可以避免使用过程中高压导致的器件被击穿，从而提高电路的可靠性，为工业界半导体和汽车电子半导体领域的高压采样提供了有效的解决方法。

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