处理半导体晶片的方法

1.处理从单晶锭切割并具有正表面和背表面以及周围边缘的半导 体晶片的方法包括步骤，依次为：
(a)粗磨削晶片的正表面和背表面，快速地减小晶片的厚度；
(b)用研磨浆料研磨晶片的正表面和背表面，进一步减少晶片的 厚度和减少由粗磨削引起的损伤；
(c)用化学腐蚀剂腐蚀上述的晶片，进一步减少晶片的厚度；和
(d)用抛光浆料抛光晶片的正表面，使晶片的厚度减小到预定的 晶片厚度。
2.权利要求1中所述的方法进一步包括研磨后和腐蚀处理前从晶 片除去由研磨加工引起的细粒材料的清洗晶片的步骤以及腐蚀处理后和 抛光晶片的正表面前抛光晶片的周围边缘的步骤。
3.权利要求1中所述的方法，其中把晶片置于磨削设备进行粗磨 削步骤，该设备包括具有在5-25微米范围内尺寸的磨粒的树脂粘结型 砂轮。
4.权利要求1中所述的方法，其中为了粗磨削晶片磨削设备采用 圆周磨削。
5.权利要求1中所述的方法，其中在小于或等于约60秒的时间间 隔内进行粗磨削步骤和在小于或等于约10分钟的时间间隔内进行研磨 步骤。
6.权利要求1中所述的方法进一步包括在抛光晶片以前精细磨削 晶片的正表面的步骤。
7.处理从单晶锭切割并具有正表面和背表面以及周围边缘的半导 体晶片的方法，方法包括步骤，依次为：
(a)粗磨削晶片的正表面和背表面，快速地减小晶片的厚度；
(b)精细磨削晶片的正表面，进一步减少晶片的厚度并且减少由 粗磨削引起的损伤；和
(c)用抛光浆料抛光晶片的正表面。
8.权利要求7中所述的方法进一步包括在抛光晶片的第一侧面的 表面以前用化学腐蚀剂腐蚀晶片的步骤。
9.权利要求8中所述的方法，其中精细磨削步骤进一步包括精细 磨削晶片的第二侧面的表面和抛光步骤进一步包括用抛光浆料抛光晶片 的第二侧面的表面。
10.处理从单晶锭切割并具有正表面和背表面以及周围边缘的半导 体晶片的方法，方法包括步骤，依次为：
(a)精细磨削晶片的正表面和背表面，快速地减小晶片的厚度； 和
(b)用抛光浆料抛光晶片的正表面。

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