一种银纳米线原位生长过程的表征方法、监控方法及其在银纳米线可控制备中的应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202210845334.3
IPC分类号：G01N27/06;G01N23/2251;B22F9/24;B22F1/054;B82Y40/00
申请日期：
2022-07-18
申请人：
深圳市华科创智技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种银纳米线原位生长过程的表征方法、监控方法及其在银纳米线可控制备中的应用
申请号	CN202210845334.3	申请日期	2022-07-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2022-10-21	公开/公告号	CN115219564A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/02 通过测试阻抗 G01N27/04 通过测试电阻 G01N27/06 液体的电阻（关于电分析的入G01N 27/2）	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;6;;;G;0;1;N;2;3;/;2;2;5;1;;;B;2;2;F;9;/;2;4;;;B;2;2;F;1;/;0;5;4;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	深圳市华科创智技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号龙岗智慧家园A座601-604 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市华科创智技术有限公司	当前权利人	深圳市华科创智技术有限公司
发明人	叶晃青;曾西平;汪颖;吴俊青
代理机构	深圳国海智峰知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	臧芳芳

摘要

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种银纳米线原位生长过程的表征方法、监控方法及其在银纳米线可控制备中的应用，所述表征方法包括以下步骤(1)建立银纳米线反应体系；(2)实时监测反应体系电导率，并采集电导率数据；(3)重复步骤(1)‑(2)，总结银纳米线原位生长过程中电导率变化规律，建立电导率变化趋势模型，表征银纳米线原位生长过程。本发明通过建立电导率变化趋势模型，表征银纳米线原位生长过程，该表征方法可实时监测银纳米线反应过程的电导率，进而对反应过程进行实时在线表征，操作简单快速、结果准确，且适用于常规的银纳米线制备体系，具有良好的应用价值。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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