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薄膜晶体管的形成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610107833.3
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/20
  • 申请日期:
    2006-07-24
  • 申请人:
    精工爱普生株式会社
著录项信息
专利名称薄膜晶体管的形成方法
申请号CN200610107833.3申请日期2006-07-24
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-01-31公开/公告号CN1905139
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0查看分类表>
申请人精工爱普生株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人精工爱普生株式会社当前权利人精工爱普生株式会社
发明人丰田直之
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人汪惠民
摘要
本发明提供一种利用了激光工艺的薄膜晶体管的形成方法。薄膜晶体管的形成方法包括:第一工序,在元件侧基板设置源电极以及漏电极;第二工序,设置覆盖所述源电极以及漏电极的半导体层;第三工序,设置重叠在所述半导体层的栅极绝缘层;和第四工序,设置重叠在所述半导体层层的栅极绝缘层。而且,所述第二工序包括:(a)将第一施主基板重叠在所述元件侧基板的工序,所述施主基板具有第一底部基板、所述第一底部基板上的第一烧蚀层、和所述第一烧蚀层上的施主侧半导体层;和(b)对所述第一烧蚀层照射第一激光束,使得所述施主侧半导体层的至少一部分从所述第一施主基板被转印到所述元件侧基板,来得到所述半导体层的工序。

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