具有自对准栅电极结构的场致发射器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03823864.0
IPC分类号：--
申请日期：
2003-09-12
申请人：
皇家飞利浦电子股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有自对准栅电极结构的场致发射器件及其制造方法
申请号	CN03823864.0	申请日期	2003-09-12
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-10-26	公开/公告号	CN1689129
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	皇家飞利浦电子股份有限公司	申请人地址	荷兰艾恩德霍芬变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	皇家飞利浦电子股份有限公司	当前权利人	皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人	L·范皮伊特森;S·T·德滋瓦特;H·M·维斯塞
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	张雪梅;张志醒

摘要

本发明涉及一种场致发射器件及其制造方法。该场致发射器件包括：栅电极(140、340、440)，其设置有电子穿通孔(135、335、435)的图形。靠近在衬底(125、325、425)上分布的颗粒(110、310、410)排列栅电极(140、340、440)，所述颗粒(110、310、410)的至少一部分被排列用于发射电子。利用栅电极(140、340、440)，即可施加电场，由此发射粒子发射电子。因为孔(135、335、435)的图形类似于衬底上颗粒(110、310、410)的分布，所以就获得了特别优良的电子发射。利用该制造方法就获得了以下结果，其中在照射步骤中将颗粒(110、310、410)应用于光敏层(150、352)的掩膜区(155、355)。因此，在光敏层(150、352)中就获得了图形，利用此图形以便相对容易地获得栅电极(140、340、440)中的类似图形。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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