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一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110331342.8
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2011-10-27
  • 申请人:
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
著录项信息
专利名称一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法
申请号CN201110331342.8申请日期2011-10-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-02-08公开/公告号CN102347446A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请人地址
上海市长宁区长宁路865号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所当前权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人宋志棠;程丽敏;吴良才;饶峰;刘波;彭程
代理机构上海光华专利事务所代理人许亦琳;余明伟
摘要
本发明涉及一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料。本发明的用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料,其化学成分符合化学通式Nx[(Ge1+yTe)a(Sb2Te3)b]100-x,0<y≤3,0<x≤35,a=1或2,b=1或2。该相变材料为在外部能量作用下具有可逆相变的存储材料。采用磁控溅射时,通过控制各靶材靶位的电源功率和N2/Ar2流量比来调节各组分的原子百分含量,可得到不同结晶温度、熔点和结晶激活能的相变存储材料。本发明Ge-Sb-Te富Ge掺N的相变材料,相比于传统的薄膜材料来说,具有较高的结晶温度,较好的数据保持力,较好的热稳定性,较低的功耗等优点。

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