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一种阵列基板及显示装置

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201320550625.6
  • IPC分类号:H01L29/786;H01L27/12;H01L29/423
  • 申请日期:
    2013-09-05
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
著录项信息
专利名称一种阵列基板及显示装置
申请号CN201320550625.6申请日期2013-09-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司,鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司,鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
发明人李付强;王学路;李成;安星俊
代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司代理人黄志华
摘要
本实用新型公开了一种阵列基板及显示装置,该阵列基板包括:衬底基板,依次形成在衬底基板上的金属屏蔽层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层及像素电极层,其中:所述层间介电层和栅极绝缘层内形成有至少一个贯通至金属屏蔽层的第一过孔;所述源漏金属层形成在所述第一过孔上及具备所述第一过孔的层间介电层上。在本方案中,通过设置直达金属屏蔽层的第一过孔,使得像素电极层与金属屏蔽层电相连,进而使得栅金属层中的公共电极线既能与源漏金属层形成存储电容又能与金属屏蔽层形成存储电容,起到了增大阵列基板的存储电容、提高阵列基板的像素电压保持率及降低显示装置闪烁等不良现象的效果。

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