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一种具有高电阻率和低损耗的纳米晶锰锌铁氧体材料及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010563669.3
  • IPC分类号:C04B35/26;C04B35/38;C04B35/36;C04B35/622
  • 申请日期:
    2010-11-29
  • 申请人:
    苏州天铭磁业有限公司
著录项信息
专利名称一种具有高电阻率和低损耗的纳米晶锰锌铁氧体材料及其制备方法
申请号CN201010563669.3申请日期2010-11-29
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2011-05-18公开/公告号CN102060518A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/26IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;2;6;;;C;0;4;B;3;5;/;3;8;;;C;0;4;B;3;5;/;3;6;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人苏州天铭磁业有限公司申请人地址
江苏省苏州市常熟市虞山高新技术产业园国新路 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州天铭磁业有限公司当前权利人苏州天铭磁业有限公司
发明人魏瑞明;戴建中;邹仲鹤;陆静军
代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)代理人柏尚春
摘要
本发明涉及一种具有高电阻率和低损耗的纳米晶锰锌铁氧体材料,该纳米晶MnZn铁氧体材料的化学式可以表示为:MnxZn1-xLayFe2-yO4,其中0.2≤x≤0.8,0.1≤y≤0.4,该发明的纳米晶MnZn铁氧体材料的颗粒尺寸10~25nm,室温电阻率高达3.2×103Ωm,高频损耗仅有70mW/cm3(100℃;50mT;500kHz)。此外,本发明中制备工艺简单可控,成本低廉,易于进行批量生产,制备出的纳米晶MnZn铁氧体可以广泛应用于通信、自动控制、电子设备等领域。

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