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三结叠层太阳能薄膜电池及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010033931.3
  • IPC分类号:H01L31/076;H01L31/20
  • 申请日期:
    2010-01-06
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司;北京京东方能源科技有限公司
著录项信息
专利名称三结叠层太阳能薄膜电池及其制备方法
申请号CN201010033931.3申请日期2010-01-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-07-06公开/公告号CN102117860A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/076
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;7;6;;;H;0;1;L;3;1;/;2;0查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司;北京京东方能源科技有限公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司,北京京东方能源科技有限公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司,北京京东方能源科技有限公司
发明人李贵君;韩晓艳;宋行宾
代理机构北京银龙知识产权代理有限公司代理人许静
摘要
本发明涉及一种三结叠层太阳能薄膜电池及其制备方法,该三结叠层太阳能薄膜电池包括顶电池、中间电池和底电池,各电池分别包括P型掺杂层、本征层和N型掺杂层,其中,顶电池的本征层为晶粒尺寸为2-10纳米以及晶化率为10-20%的本征纳米硅薄膜。上述三结叠层太阳能薄膜电池的制备方法中,形成顶电池本征层时,在硼掺杂非晶硅碳层上,采用硅烷浓度为1-5%的硅烷和氢气的混合气体,在1.0-1.5Torr的沉积气压、180-220℃的沉积温度以及15-30W的辉光功率下,沉积本征纳米硅薄膜。通过本发明,能提高顶电池的带隙宽度,扩大太阳能薄膜电池的光谱吸收范围,克服S-W效应,从而提高光电转化效率。

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