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纵向沟槽MOS器件的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010027318.0
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/28
申请日期：
2010-01-20
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	纵向沟槽MOS器件的制备方法
申请号	CN201010027318.0	申请日期	2010-01-20
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-07-20	公开/公告号	CN102130003A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区川桥路1188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹NEC电子有限公司	当前权利人	上海华虹NEC电子有限公司
发明人	金勤海;沈今楷
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	张骥

摘要

本发明公开了一种纵向沟槽MOS器件的制备方法，其为在纵向沟槽MOS器件的沟槽形成之后，进行氮离子注入将氮离子注入到沟槽上部的侧壁；而在纵向沟槽MOS器件的接触孔刻蚀之后，进行离子注入工艺在接触孔下方形成接触孔注入区，接触孔注入区从体区延伸至漂移区内，接触孔注入区的导电类型与体区的导电类型相同。采用本发明的方法能提高所制备的纵向沟槽MOS器件的击穿电压。

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