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制造GOI半导体结构的方法及使用这些方法制造的半导体结构

发明专利有效专利

申请号：
CN200610137543.3
IPC分类号：H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L27/12
申请日期：
2006-10-25
申请人：
国际商业机器公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制造GOI半导体结构的方法及使用这些方法制造的半导体结构
申请号	CN200610137543.3	申请日期	2006-10-25
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2007-05-02	公开/公告号	CN1956149
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人	国际商业机器公司	申请人地址	开曼群岛大开曼岛变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	格芯公司	当前权利人	格芯公司
发明人	程慷果;J·A·曼德尔曼;B·J·格里恩
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	于静;刘瑞东

摘要

一种半导体结构包括单晶体含锗层，优选基本上纯锗，衬底，以及将含锗层与衬底分开的掩埋绝缘层。多孔层，其可以是多孔硅，在衬底上形成，而含锗层在多孔硅层上形成。可以将多孔层转变为提供掩埋绝缘层的氧化层。作为选择，可以将含锗层从多孔层转移到另一个衬底上的绝缘层。转移后，绝缘层掩埋在后一衬底和含锗层之间。

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