等离子体处理方法及等离子体处理装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200410008444.6
IPC分类号：--
申请日期：
2004-03-10
申请人：
东京毅力科创株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	等离子体处理方法及等离子体处理装置
申请号	CN200410008444.6	申请日期	2004-03-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2004-09-22	公开/公告号	CN1531012
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社	当前权利人	东京毅力科创株式会社
发明人	森本保;村上贵宏
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	龙淳

摘要

本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，包括施加第一高频电力的上部电极(12)、施加第二高频电力的下部电极(13)和调节该两电极(12、13)的间隔的升降机构(14)，在使用在上部电极(12)上施加第一高频电力进行等离子体点火的等离子体处理装置对下部电极(13)上的晶片(W)实施等离子体处理之际，至少在等离子体熄灭时，使上下两电极(12、13)的间隔设定得比等离子体处理时宽。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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