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MOS晶体管器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210264939.X
IPC分类号：H01L29/10;H01L29/78
申请日期：
2012-07-27
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	MOS晶体管器件及其制造方法
申请号	CN201210264939.X	申请日期	2012-07-27
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-02-12	公开/公告号	CN103579308A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕 H01L29/10 具有连接到1个不通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	赵猛
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	屈蘅;李时云

摘要

本发明提供一种MOS晶体管器件及其制造方法，所述MOS晶体管具有SiGe/SiC/SiGe/Si或者SiC/SiGe/SiC/Si堆叠的沟道，该沟道可以利用与其下方的半导体衬底界面以及自身各层间界面的晶格失配，向沟道中引入较多应力，因而无需通过在包括栅极结构的器件表面上沉积应力层工艺，就可以极大地提高沟道载流子迁移率，进而提高MOS晶体管器件的性能。

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