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一种基于PZT的忆阻器件、其制备方法及其应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010742267.3
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2020-07-29
  • 申请人:
    南京邮电大学
著录项信息
专利名称一种基于PZT的忆阻器件、其制备方法及其应用
申请号CN202010742267.3申请日期2020-07-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-12-01公开/公告号CN112018236A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人南京邮电大学申请人地址
江苏省南京市雨花台区西春路1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京邮电大学当前权利人南京邮电大学
发明人张缪城;秦琦;童祎;孟宇泰;王伊婕
代理机构南京苏科专利代理有限责任公司代理人陈栋智
摘要
本发明公开了一种基于PZT的忆阻器件,设置在衬底上,忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极,且阻变层、底电极与衬底的形状、尺寸一一匹配;阻变层为铁电材料PZT层,顶电极为活性金属层,底电极为惰性金属层;顶电极通过掩膜板的开孔溅射在阻变层的顶部,底电极的顶部、底部分别与介质层、衬底相触接,本发明导电性和稳定性佳,阻态更稳定,具有明显的人脑突触特性,可用于多值存储、类脑系统构建,具有广阔的应用前景。

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