用于低功率高良率存储器的系统和方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200880121041.9
IPC分类号：G11C11/417
申请日期：
2008-11-07
申请人：
高通股份有限公司

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著录项信息

专利名称	用于低功率高良率存储器的系统和方法
申请号	CN200880121041.9	申请日期	2008-11-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-12-01	公开/公告号	CN101903954A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/417 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/41 用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特（Schmitt）触发器〔5〕 G11C11/413 辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的〔5〕 G11C11/417 用于场效应型存储单元的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;1;7查看分类表>
申请人	高通股份有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	高通股份有限公司	当前权利人	高通股份有限公司
发明人	贝克尔·S·穆罕默德
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	刘国伟

摘要

本发明描述一种用于低功率高良率存储器的系统。所述系统包含经配置以接收存储器电源电压(108)的存储器单元。所述系统进一步包含经配置以针对对所述存储器单元的写入而将所述存储器电源电压(108)从第一存储器电源电压电平(206)修改为第二存储器电源电压电平(416)的存储器电源电压控制电路(402)。此外，所述系统包括用于针对对所述存储器单元的写入而降低字线选择电平的装置。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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