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具有多个靶体和磁体的沉积室的PVD装置和方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210056039.6
IPC分类号：C23C14/34
申请日期：
2012-03-05
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有多个靶体和磁体的沉积室的PVD装置和方法
申请号	CN201210056039.6	申请日期	2012-03-05
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-06-05	公开/公告号	CN103132028A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;4查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	高宗恩;蔡明志;周友华;江振家;李志聪;郭铭修
代理机构	北京德恒律师事务所	代理人	陆鑫;房岭梅

摘要

提供用于可单独供电的多个靶体组件的薄膜沉积系统和方法。每个靶体组件都包括靶体以及相关的磁体或磁体组。本发明提供了通过对靶体布置单独供电的多个电源产生的可调膜轮廓。可以对提供给靶体布置的功率的相对量进行定制以提供期望的膜，并且可以及时改变提供给靶体布置的功率的相对量以产生具有不同特性的膜。本发明提供了具有多个靶体和磁体的沉积室的PVD装置和方法。

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