熔合法制备硅酸盐玻璃基地质孔洞人工物理模型

发明专利无效专利

申请号：
CN200710052860.X
IPC分类号：G01V1/00
申请日期：
2007-07-30
申请人：
中国地质大学（武汉）

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	熔合法制备硅酸盐玻璃基地质孔洞人工物理模型
申请号	CN200710052860.X	申请日期	2007-07-30
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2008-01-16	公开/公告号	CN101105535
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01V1/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01V 地球物理；重力测量；物质或物体的探测；示踪物（用于指示因事故被掩埋的人的位置，例如，被雪掩埋的人的位置的装置入A63B 29/02）〔4，6〕 G01V1/00 地震学；地震或声学的勘探或探测	IPC分类号	G;0;1;V;1;/;0;0查看分类表>
申请人	中国地质大学（武汉）	申请人地址	湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国地质大学（武汉）	当前权利人	中国地质大学（武汉）
发明人	张德;周振泽;徐建梅;陈姿;沈上越
代理机构	湖北武汉永嘉专利代理有限公司	代理人	张安国

摘要

本发明提出了熔合法制备硅酸盐玻璃基地质孔洞人工物理模型。制备步骤为：1)将方铅矿矿石破碎、研磨筛分获得微米级的方铅矿颗粒；2)将硅酸盐平板玻璃裁成合适的大小，并清洗干净、晾干；3)将微米级方铅矿颗粒放在硅酸盐玻璃块之间，再放入高温真空炉中；4)将高温真空炉抽真空至低于10Pa时开始升温，升至750℃-850℃，保温90分钟-120分钟熔合，待降温至40℃-50℃时取出；5)将得到的熔合的样品进行外形加工、抛光，即制得硅酸盐玻璃基地质孔洞人工物理模型。本发明以高波速的硅酸盐玻璃为基体、低波速的天然方铅矿为孔洞模拟杂物，符合基体波速高、孔洞波速低的地质实际。

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