只读存储器和只读存储器件

发明专利无效专利

申请号：
CN98810569.1
IPC分类号：--
申请日期：
1998-08-28
申请人：
薄膜电子有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	只读存储器和只读存储器件
申请号	CN98810569.1	申请日期	1998-08-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2000-12-20	公开/公告号	CN1277723
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	薄膜电子有限公司	申请人地址	挪威奥斯陆变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	薄膜电子有限公司	当前权利人	薄膜电子有限公司
发明人	H·G·古德森;P·－E·诺达尔;G·I·莱斯塔德
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	吴立明;叶恺东

摘要

一种只读存储器形成为可在无源导体矩阵上电寻址，其中矩阵中两导体(2，4)间的空间限定一个存储单元(5)。数据在存储单元中存储为阻抗值。存储单元(5)包括提供高阻抗的隔离材料(6)或一个或多个较好是具有各向异性导电特性的无机或有机半导体(9)。半导体材料(9)与矩阵中金属导体(2，4)的界面构成二极管结。通过在存储单元中适当地设置各隔离材料(6)和半导体材料(9)，可以给出可电读取且对应于二进制或多值编码的逻辑值的确定阻抗值。一个或多个只读存储器(ROM)可设于半导体衬底(1)上，以完成只读存储器件，半导体衬底(1)上还包括驱动和控制电路(13)。该器件可以平面实现，或可以通过以水平层(15)层叠数个只读存储器(ROM)，并使它们通过寻址总线与衬底(1)连接立体实现。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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