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制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201922024613.X
  • IPC分类号:C23C14/56;H01L31/18
  • 申请日期:
    2019-11-21
  • 申请人:
    深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
著录项信息
专利名称制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备
申请号CN201922024613.X申请日期2019-11-21
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/56IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;5;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司申请人地址
广东省深圳市坪山区龙田街道竹坑社区金牛东路62号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司当前权利人深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
发明人卢贤政;陈麒麟;李时俊;张勇
代理机构深圳市康弘知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
本实用新型公开了制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,其至少包括第一镀膜腔(1)和第二镀膜腔(2)、横穿第一和第二镀膜腔的用于传输镀膜载板的传输带(3),第一和第二镀膜腔内分别设有镀膜源,当待镀膜载板依次穿过第一和第二镀膜腔时,所述镀膜源对待镀膜载板双面镀制透明导电氧化物薄膜;本实用新型解决了离子镀膜和溅射镀膜的缺点,有效解决镀膜粉尘对于TCO薄膜质量及产品效率的影响,尤其适合高效率薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的正面和背面连续生产时、方向由下往上镀膜源上方薄膜积迭所积造成的粉尘而产生缺陷,且本实用新型的设备和方法可适用于多种具有不同性能的TCO材料及不同型式的镀膜源。

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