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铌酸锂光波导芯片

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910776688.5
  • IPC分类号:G02B6/12
  • 申请日期:
    2019-08-22
  • 申请人:
    易锐光电科技(安徽)有限公司;苏州易锐光电科技有限公司
著录项信息
专利名称铌酸锂光波导芯片
申请号CN201910776688.5申请日期2019-08-22
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-12-13公开/公告号CN110568551A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/12IPC分类号G;0;2;B;6;/;1;2查看分类表>
申请人易锐光电科技(安徽)有限公司;苏州易锐光电科技有限公司申请人地址
安徽省马鞍山市慈湖高新区霍里山大道北段1669号2栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人易锐光电科技(安徽)有限公司,苏州易锐光电科技有限公司当前权利人易锐光电科技(安徽)有限公司,苏州易锐光电科技有限公司
发明人陈亦凡;黄萌
代理机构苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人唐静芳
摘要
本发明涉及一种铌酸锂光波导芯片,包括单晶硅基板、薄膜铌酸锂、设置在所述薄膜铌酸锂上的负热光系数材料、设置在所述单晶硅基板上并包覆所述铌酸锂薄膜和负热光系数材料的二氧化硅包层,以及设置在所述二氧化硅包层上的金属电极;所述薄膜铌酸锂包括铌酸锂中心脊,或者,包括质子交换层和铌酸锂侧翼。由于铌酸锂的折射率随温度的升高而增大,本发明利用负热光系数材料折射率随温度升高而降低的特性,通过在铌酸锂薄膜上设置合适厚度的负热光系数材料层,可以消除铌酸锂光波导有效折射率对温度的敏感性,实现了几种非热敏设计的光波导结构,可以有效降低薄膜铌酸锂光波导芯片的热光系数,使薄膜铌酸锂光波导的各种物理性能对温度变化不敏感。

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